由于邏輯閾值電壓是式(10.1)中的-IDS與式(10.2)中的IDS相等時的電壓，所以應用這個關系能夠求得Vin：
假如KN=Kp，即KN/KP=1，經過選擇恰當的p溝MOS晶體管與n溝MOS晶體管的參數，可以完成｜VTP｜＝｜VTN｜，那么作為反相器，當然就能夠得到如下理想的關系：
實踐上，這樣的理想狀態(tài)是不存在的。在版圖設計中，經過設計恰當的p溝MOS晶體管與n溝MOS晶體管的W/L比，盡可能使VTP與VTN相等，能夠得到接近1/2VDD的邏輯閾值電壓。
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